156*156多晶硅片參數制備方法:DSS　　導電類型:P　　摻雜劑：B　　電阻率范圍:0.5 -3.0 厘米,　　少數載流子壽命: 2 s　　氧含量: 8.0 * 1017 / cm3　　碳含量: 1.0 * 1018 / cm3　　硅片尺寸:156 * 156 0.5　　直角度:90 0.3 　　斜角度：0.5-2mm　　厚度：200 20 m總厚度變化： 30 m 線痕 20 m　　翹曲 50 m崩邊：深度 0.3mm 長度 0.5mm　　微裂紋:不允許的　　外觀:沒有污點,沒有邊緣破損，沒有碎片