用途 | 用水指標 | 參考標準 |
單晶硅、多晶硅、太陽能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產 | 電阻率15 ~18.25 M .CM | 我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標 |
單晶硅半導體集成電路塊,顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業 | 電阻率15 ~18.25 M .CM | 美國半導體工業用純水指標我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997 |
光學材料清洗用水、電子陶瓷行業用純水、尖端磁性材料用純水 | 電阻率10 ~17 M .CM | 我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標 |
蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產 | 電阻率5 ~10 M .CM | 我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997 |
有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級新材料生產用水、航空新材料生產用水、ITO導電玻璃制造用水、電子級無塵布生產用水 | 電阻率15 ~18.25 M .CM | 我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標 |
主要工藝流程和出水指標:※預處理 反滲透 離子交換器(電阻率 15M .CM)※預處理 二級反滲透 EDI(電阻率 15M .CM)※預處理 二級反滲透 脫氣膜 EDI 拋光混床(電阻率 18.25M .CM)詳細工藝需根據原水設計情況進行設計純水設備的主要特點
▼采用進口反滲透膜,脫鹽率高,使用壽命長,運行成本低廉,產水水質高而穩定; ▼在線水質監測控制,實時監測水質變化,保障水質安全; ▼全自動電控程序,還可選配觸摸屏操作,使用方便,操作簡單、安全; ▼切合當地水質的個性化設計,設想周到的堆疊式設計,占地面積小,全方位滿足需求。▼運行費用及維修成本低,全自動運行,實現無人化管理操作。 |