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optotherm熱發射顯微鏡系統技術參數-立特為智能電話:l52l9504346 (溫先生)
關鍵詞: ?Optotherm IS640 SENTRIS,Thermal Emission Microscope system
1.?它的應用非常廣泛,去封裝的芯片分析,未去封裝的芯片分析,電容,FPC,甚至小尺寸的電路板分析(PCB、PCBA),這也就讓你可以在對樣品的不同階段都可以使用thermal技術進行分析,如下圖示例,樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電,將該器件拆下后發現漏電改善,對該器件焊引線出來,未開封定位為某引腳,開封后扎針上電再做分析,進一步確認為晶圓某引線位置漏電導致,如有需要可接著做SEM,FIB等分析。
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未開封器件分析
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開封器件分析
2. 它能偵測的半導體缺陷也非常廣泛,微安級漏電,低阻抗短路,ES擊傷,閂鎖效應點,金屬層底部短路等等,而電容的漏電和短路點定位,FPC,PCB,PCBA的漏電,微短路等也能夠精確定位
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lock-in鎖相分析
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開封芯片漏電分析
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GAN-SIC器件
3,它是無損分析:作為日常的失效分析,往往樣品量稀少,這就要求失效分析技術最好是無損的,而對于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷,雖然電測能測出存在缺陷,但是對具體缺陷位置,市場上的無損分析如XRAY或超聲波,卻很難進行定位,只能通過對樣品進行破壞性切片分析,且只能隨機挑選位置,而通過Thermal 技術,你需要的只是給樣品上電,就可以對上述兩種缺陷進行定位
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FPC缺陷分析
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電容缺陷分析
4,鎖相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):利用鎖相技術,將溫度分辨率提高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以偵測uA級漏電流和微短路缺陷,遠由于傳統熱成像及液晶熱點偵測法(0.1℃分辨率,mA級漏電流熱點)
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5,系統能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布,提供了一種快速探測熱點和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示出缺陷的位置,在半導體領域
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在集成電路操作期間,內部結自加熱導致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身,并且熱從接合部向外傳導到封裝中。因此,器件操作期間的精確結溫測量是熱表征的組成部分。
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芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料,分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具(如 圖像序列分析)可用于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程,以便確定管芯接合的完整性。
OPTOTHERM Sentris 熱發射顯微鏡系統作為一臺專業為缺陷定位的系統,專為電子產品FA設計,通過特別的LOCK-IN技術,使用LWIR鏡頭,仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃(1mK),同時光學分辨率最高達到5um,尤其其軟件系統經過多年的優化,具有非常易用和實用,以下是OPTOTHERM Sentris 熱發射顯微鏡系統分析過程的說明視頻
LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited?‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作為Optotherm公司中國代表(獨家代理),在深圳設立optotherm紅外熱分析應用實驗室,負責該設備的演示和銷售,如有相關應用,可提供免費評估測試服務。
深圳市立特為智能有限公司LEADERWE立為包括立為智能國際有限公司和深圳市立特為智能有限公司,是一家專業提供電子、材料等領域分析及檢測設備的綜合服務供應商!
LEADERWE 立為擁有一批有著豐富經驗的銷售人員以及專業的服務人員,不僅為您提供高端實用的設備,更能為您完整的方案及相應的應用技術支持。
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紅外熱成像儀的構成
紅外熱像儀的構成包5大部分:
1、紅外鏡頭: 接收和匯聚被測物體發射的紅外輻射;
2、紅外探測器組件: 將熱輻射型號變成電信號;
3、電子組件: 對電信號進行處理;
4、顯示組件: 將電信號轉變成可見光圖像;
5、軟件: 處理采集到的溫度數據,轉換成溫度讀數和圖像。
紅外熱成像儀的分類
紅外熱像儀按照工作溫度分為制冷型和非制冷性
制冷式熱成像儀:其探測器中集成了一個低溫制冷器,這種裝置可以給探測器降溫度,這樣是為了使熱噪聲的信號低于成像信號,成像質量更好。
非制冷式熱成像儀:其探測器不需要低溫制冷,采用的探測器通常是以微測輻射熱計為基礎,主要有多晶硅和氧化釩兩種探測器。
紅外熱像儀按照功能分為測溫型和非測溫型
測溫型紅外熱像儀:測溫型紅外熱像儀,可以直接從熱圖像上讀出物體表面任意點的溫度數值,這種系統可以作為無損檢測儀器,但是有效距離比較短。
非測溫型紅外熱像儀:非測溫型紅外熱像儀只能觀察到物體表面熱輻射的差異,這種系統可以作為觀測工具,有效距離比較長。
紅外熱成像儀的特點
與一般檢測設備相比,紅外熱成像儀具有以下鮮明特點:
1、熱成像儀可以對運動物體進行測溫,而普通測溫儀表很難做到這一點;
2、可以借助顯微鏡頭對幾微米甚至更小的目標進行測溫;
3、可以快速地對設備進行熱診斷;
4、不會對所測量的溫度場產生干擾;
5、測溫范圍大,根據型號的不同,一般可測量0℃—2000℃的范圍;
6、靈敏度高,根據型號不同,可分辨0.1℃甚至更小的溫差;
7、使用安全,由于測量的非接觸性,使得熱成像儀使用起來非常安全。
紅外熱成像儀的發展歷程
l800年,英國天文學家F.W.赫歇耳發現了紅外線。
上世紀70年代,熱成像系統和電荷耦合器件被成功應用。
上世紀末,以焦平面陣列(FPA)為代表的紅外器件被成功應用。
紅外技術的核心是紅外探測器,紅外探測器按其特點可分為四代:
第一代(l970s-80s):主要是以單元、多元器件進行光機串/并掃描成像;
第二代(l990s-2000s):是以4x288為代表的掃描型焦平面;
第三代:凝視型焦平面;
第四代:目前正在發展的以大面陣、高分辨率、多波段、智能靈巧型為主要特點的系統芯片,具有高性能數字信號處理功能,甚至具備單片多波段探測與識別能力。
目前非制冷焦平面探測器的主流技術為熱敏電阻式微輻射熱計,根據使用的熱敏電阻材料的不同可以分為氧化釩探測器和非晶硅探測器兩種。
非制冷焦平面陣列探測器的發展,其性能可以滿足部分的軍|事用途和幾乎所有的民用領域,真正實現了小型化、低價格和高可靠性,成為紅外探測成像領域中極具前途和市場潛力的發展方向。