蝕刻網中濺射蝕刻介紹

蝕刻網中的濺射蝕刻是一個純粹的物理工藝，是濺射沉積的反向作用。將要保留的區域保護起來，待蝕刻的部件被連接到陰極上，再用DC或RF濺射等離子體產生的氬離子轟擊未被保護的區域以求達到蝕刻的目的。然而，濺射蝕刻是無選擇性的。它產生的氬離子同時蝕刻保護區域的膠層和未保護部分的銅箔，這就要求保護區域的膠層必須具備一定的厚度，在未保護區域的銅箔的完全蝕刻掉以后必須還有一定的厚度。

濺射蝕刻的方式非常適合高精度制造場合，被廣泛地用于制造器件和集成電路，也越來越多地用于制造混合電路和多芯片模塊。該蝕刻方式的致命弱點就是蝕刻速率特別低，每分鐘只能蝕刻3—6個埃厚的銅箔。