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化學沉積爐 PECVD 氣相沉積爐

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品 牌: 西尼特(北京)電爐有限公司 
型 號: 二氧化硅,氮化硅,類金剛石等 
規 格: 二氧化硅,氮化硅,類金剛石等 
單 價: 面議 
起 訂:  
供貨總量: 1 個
發貨期限: 自買家付款之日起 天內發貨
所在地: 遼寧 朝陽市
有效期至: 長期有效
更新日期: 2014-04-02 17:50
瀏覽次數: 704
詢價
公司基本資料信息
 
 
 
【化學沉積爐 PECVD 氣相沉積爐】詳細說明
加工定制:是最大電壓: (V)
功率: (W)額定溫度:600(℃)
主要用途:半導體器件和集成電路的鈍化,用以提高器件和集成電路可靠性。

※應用領域:

CNT生產的PECVD(等離子增強化學氣相淀積)設備是一種用于在基片上生成高質量SiNx和SiO2薄膜的專用設備。淀積溫度能夠較高 (100~600oC可調 ) ,特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化,用以提高器件和集成電路可靠性。目前,它已成為微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。

※產品描述:

CNT公司PECVD設備主要由全真空專用不銹鋼腔體,分子泵高真空系統,電源,生長機體載體及溫控系統,獨立排氣和生長壓力調節系統,冷卻循環水輔助設備等組成。整機結構緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設備控制系統采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜等。

※技術指標:

參 數 名 稱

單 位

配置

沉積類型

二氧化硅,氮化硅,類金剛石等

電 源

射頻電源,帶正向功率和反射功率計指示,帶匹配器

加熱系統

平板式雙反應室系統,帶加溫和勻氣系統

工 作 溫 度

100~600℃

基片臺尺寸

( H)mm

1英寸、二英寸、三英寸、四英寸

基片臺轉速

轉速0-20RPM

控 溫 精 度

1

極限真空

pa

8.0 10-5

密封系統

磁流體密封

水冷、氣路系統

冷卻水循環機、無噪聲氣泵

報警及保護

對缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警及相應保護措施

真空系統

(選 配)

真空系列

單級機械泵、擴散泵機組、分子泵

工作腔體

不銹鋼

氣氛系統

浮子流量計、進口、國產質量流量計

記錄裝置

進口、國產無紙記錄儀

備注:西尼特可根據閣下要求提供各種非標產品的設計制造,歡迎來函、來電咨詢!

24小時熱線:400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223

cntdl@sina.com http://www.cimitdl.com

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