從PC100標準開始內存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內存條正面右側的一塊8管腳小芯片，里面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以借助SiSoftSandra2001這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAMPC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。 內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。 1、PC66/100SDRAM內存標注格式 （1）1.0---1.2版本 這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標準工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鐘周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的），用時鐘周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鐘周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對于時鐘下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合IntelPC100規范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。 （2）1.2b+版本 其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標準工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鐘周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的），用時鐘周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鐘周期數表示；ee代表相對于時鐘下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4nstAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。 2、PC133SDRAM（版本為2.0）內存標注格式 威盛和英特爾都提出了PC133SDRAM標準，威盛力推的PC133規范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133CAS=2，要求內存芯片至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。PC133SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標準工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鐘周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的，用時鐘周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鐘周期數表示；ff代表相對于時鐘下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4nstAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。 3、PC1600/2100DDRSDRAM（版本為1.0）內存標注格式 其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標準工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標準工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鐘周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的，用時鐘周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鐘周期數表示；ff代表相對于時鐘下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5nstAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。 4、RDRAM內存標注格式 其格式為：aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標準工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標準工作頻率為800*1/2=400MHZ。 5、各廠商內存芯片編號 內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存芯片上的編號。內存條上一般有多顆內存芯片，內存芯片因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。由于韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存芯片質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，先來看看它們的內存芯片編號。 1、HYUNDAI（現代） 現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式為：HY5abcdefghijklm-no 其中HY代表現代的產品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3VU=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef）；fg代 表芯片輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存芯片內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表接口（0=LVTTL［LowVoltageTTL］接口）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100CL2或3］，10s=10ns［PC-100CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh　cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400milTSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。 2、SDRAM內存 第1字段由HY組成，代表現代產品。 第2字段代表產品類型，57代表SDRAM。 第3字段代表電壓，V代表3.3V。 第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。 第5字段代表數據帶寬，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。 第6字段代表芯片組成，1代表2BANK；2代表4BANK。 第7字段代表意義不詳，一般為0。 第8字段代表電氣接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。 第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版 第10字段代表封裝方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。 第11字段代表內存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133@CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。 市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最后兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。