Emerson M016430
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磁阻元件 　利用半導體物理磁阻和幾何磁阻效應制成的半導體磁敏元件。作為磁阻元件要求霍耳電勢小而霍耳角大。常在扁長條霍耳片上蒸鍍或濺射一層金屬膜，利用光刻技術留下相距很近的環狀柵格金屬膜，相當于許多串聯的扁形磁阻元件，能獲得高的磁阻靈敏度。零磁場下電阻一般為幾百歐，而磁感應強度為 1特斯拉時，其電阻比零磁場電阻增大12倍左右。弱磁場下，磁阻按(μB)2關系增加。在強磁場(μB>1)下磁阻隨磁感應強度按線性規律變化。為獲得較好的線性特性,應選擇遷移率比較高的半導體材料（如 n型銻化銦）。磁阻元件中的載流子在電場中漂移很短，頻率響應極佳。磁阻元件是二端元件，特殊的有三端和四端元件，還有磁阻集成電路。主要用于位移和角度的檢測和無觸點電位器等。
廈門航拓電氣有限公司

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