RFOR8604A(B)Ⅲ雙向光接收機 性能特點 高響應度PIN光電轉換管。 線路優化設計，SMT工藝生產，優化整機信號通道，光電信號傳輸更流暢。 專業的射頻衰減芯片，射頻衰減和均衡線性好，精度高。 砷化鎵放大器件，功率倍增輸出，增益高、失真低。 單片機控制整機工作，數碼顯示各項參數，操作方便直觀，性能穩定。 優良的AGC特性，輸入光功率－9～＋2dBm時，輸出電平保持不變，CTB、CSO基本不變。 預留數據通訊接口，方便與網管應答器連接，接入網管系統。 原理框圖 技術參數 項 目 單 位 技 術 參 數 光 學 參 數 接收光功率 dBm -9～ 2 光反射損耗 dB 45 光接收波長 nm 1100～1600 光連接器類型 FC/APC、SC/APC或由用戶指定 光纖類型 單 模 鏈 路 性 能 C/N dB ≥ 51（-2dBm輸入時） C/CTB dB ≥ 65 輸出電平108 dBμV 均衡6dB時 C/CSO dB ≥ 60 射 頻 參 數 頻率范圍 MHz 45～862 帶內平坦度 dB 0.75 標稱輸出電平 dBμV ≥ 108 最大輸出電平 dBμV ≥ 112 輸出反射損耗 dB ≥14 輸出阻抗 Ω 75 電控均衡范圍 dB 0～10 電控衰減范圍 dBμV 0～20 反 向 光 發 射 部 分 光 學 參 數 光發射波長 nm 1310 10 輸出光功率 dBm 1～5 光連接器類型 FC/APC、SC/APC或由用戶指定 射 頻 參 數 頻率范圍 MHz 5～65（或由用戶指定） 帶內平坦度 dB 1 輸入電平 dBμV 85～90 輸出阻抗 Ω 75 一 般 特 性 電源電壓 V A：AC（150～265）V；B：AC（35～90）V 工作溫度 ℃ -40～60 儲存溫度 ℃ -40～65 相對濕度 % 最大95%無冷凝 功 耗 VA ≤ 30 外形尺寸 mm 240（L）╳ 240（W）╳ 150（H） 備注：以上給出的正向射頻指標是在末級使用砷化鎵25dB功率倍增模塊時的參數，如果使用其他模塊時，指標會略有不同。