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公司基本資料信息
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類別:NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
集電極-發射極電壓VCEO:15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:2.5V
集電極直流電流IC:120mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式:SOT-89
功率特性:中功率
極性:NPN型
結構:擴散型
材料:硅(Si)
封裝材料:塑料封裝
電性能參數(TA=25℃):
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大系數hFE: 60~250 @VCE=8V,IC=40mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特征頻率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA
集電極允許電流IC:0.12(A)
集電極最大允許耗散功率PT:0.5(W)
噪聲系數NF:1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
功率增益GUM:14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
反饋電容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
相關型號:2SC3356/R252SC33572SC4226/RFBFQ591BFG540等
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