真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發和離子濺射，各有優缺點。此外，將蒸發法與濺射法相結合，即為離子鍍。這種方法的優點是得到的膜與基板間有極強的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度高。

本實驗采用的是蒸發鍍膜法。

真空蒸發鍍膜是在真空度不低于10-2Pa的環境中，用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發的材料加熱到一定溫度，使材料中分子或原子的熱振動能量超過表面的束縛能，從而使大量分子或原子蒸發或升華，并直接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產生的正離子在電場的作用下的高速運動轟擊作為陰極的靶，使靶材中的原子或分子逸出來而沉淀到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。真空蒸發鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優點是加熱源的結構簡單，造價低廉，操作方便；缺點是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱，電子束的動能變成熱能，使材料蒸發。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源，但由于大功率激光器的造價很高，目前只能在少數研究性實驗室中使用。

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